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半導(dǎo)體制造工藝和流程

半導(dǎo)體制造工藝和流程
1.晶圓制造
晶圓制造主要是在晶圓上制作電路與鑲嵌電子元件（如電晶體、電容、邏輯閘等），是所需技術(shù)最

半導(dǎo)體制造工藝和流程
1.晶圓制造
晶圓制造主要是在晶圓上制作電路與鑲嵌電子元件（如電晶體、電容、邏輯閘等），是所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過程。以微處理器為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，而且所需加工機(jī)器先進(jìn)且昂貴。雖然詳細(xì)的處理程序是隨著產(chǎn)品種類和使用技術(shù)的變化而不斷變化，但其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過適當(dāng)?shù)那逑粗螅又M(jìn)行氧化及沉積處理，最后進(jìn)行微影、蝕刻及離子植入等反復(fù)步驟，最終完成晶圓上電路的加工與制作。
2.晶圓測(cè)試
晶圓經(jīng)過劃片工藝后，表面上會(huì)形成一道一道小格，每個(gè)小格就是一個(gè)晶片或晶粒（Die），即一個(gè)獨(dú)立的集成電路。在一般情況下，一個(gè)晶圓上制作的晶片具有相同的規(guī)格，但是也有可能在同一個(gè)晶圓上制作規(guī)格等級(jí)不同的晶片。晶圓測(cè)試要完成兩個(gè)工作：一是對(duì)每一個(gè)晶片進(jìn)行驗(yàn)收測(cè)試，通過針測(cè)儀器（Probe）檢測(cè)每個(gè)晶片是否合格，不合格的晶片會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，以便在切割晶圓的時(shí)候?qū)⒉缓细窬Y選出來(lái)；二是對(duì)每個(gè)晶片進(jìn)行電氣特性（如功率等）檢測(cè)和分組，并作相應(yīng)的區(qū)分標(biāo)記。
3.芯片封裝
首先，將切割好的晶片用膠水貼裝到框架襯墊（Substrate）上；其次，利用超細(xì)的金屬導(dǎo)線或者導(dǎo)電性樹脂將晶片的接合焊盤連接到框架襯墊的引腳，使晶片與外部電路相連，構(gòu)成特定規(guī)格的集成電路芯片（Bin）；最后對(duì)獨(dú)立的芯片用塑料外殼加以封裝保護(hù)，以保護(hù)芯片元件免受外力損壞。塑封之后，還要進(jìn)行一系列操作，如后固化（Post Mold Cure）、切筋（Trim）、成型（Form）和電鍍（Plating）等工藝。
4.芯片測(cè)試
封裝好的芯片成功經(jīng)過烤機(jī)（Burn In）后需要進(jìn)行深度測(cè)試，測(cè)試包括初始測(cè)試（Initial Test）和最后測(cè)試（Final Test）。初始測(cè)試就是把封裝好的芯片放在各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性（如運(yùn)行速度、功耗、頻率等），挑選出失效的芯片，把正常工作的芯片按照電氣特性分為不同的級(jí)別。最后測(cè)試是對(duì)初始測(cè)試后的芯片進(jìn)行級(jí)別之間的轉(zhuǎn)換等操作。
5.成品入庫(kù)
測(cè)試好的芯片經(jīng)過半成品倉(cāng)庫(kù)后進(jìn)入最后的終加工，包括激光印字、出廠質(zhì)檢、成品封裝等，最后入庫(kù)。

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